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三星已实现64层晶粒立体堆叠V-NAND3D闪存

企业新闻 / 2022-07-13 23:13

本文摘要:在美国加州圣克拉拉举行的闪充峰会上,三星宣告了一项技术升级突破:第四代V-NAND(立体填充3D存储器)早已构建了64层晶粒(DIE)填充,存储密度再度突破新纪录,多达了外媒刚刚经过项目管理的PortableSSDT3中非常令人震惊的48层V-NAND立体填充.。

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在美国加州圣克拉拉举行的闪充峰会上,三星宣告了一项技术升级突破:第四代V-NAND(立体填充3D存储器)早已构建了64层晶粒(DIE)填充,存储密度再度突破新纪录,多达了外媒刚刚经过项目管理的PortableSSDT3中非常令人震惊的48层V-NAND立体填充.。

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